Физический энциклопедический словарь - тензорезистивный эффект

где ij — изменение тензора уд. электропроводности, ^1/3(хх+yy+zz) —ср. уд. электропроводность кристалла, Pkl — тензор упругих напряжений, а Пijkl — тензор четвёртого ранга, наз. тензором коэфф. пьезосопротивления, характеризующий Т. э. в однородных полупроводниках. Абс. величина компонент Пijkl достигает в полупроводниках значений 10^-9 — 10^-8 м²/Н.

Вольтамперная характеристика полупроводниковых приборов часто определяется малой областью объёма полупроводников, поэтому при концентрации механич. напряжений именно в этой области даже малое механич. усилие создаёт значит. изменение высоты потенциального барьера для носителей, что приводит к изменению вольтамперной хар-ки прибора. Полупроводниковые тензоэлементы служат чувствительными датчиками механич. напряжений (>10 В/Н) и ускорений.

• Б л а т т Ф. Дж.. Физика электронной проводимости в твердых телах, пер. с англ., М., 1971; Зеегер К., Физика полупроводников, пер. с англ., М., 1977; Г л а г о в с к и й Б. А., П и в е н И. Д., Электротензометры сопротивления, 2 изд., Л., 1972; Полякова А. Л., Физические принципы работы полупроводниковых датчиков механических величин, «Акустический журнал», 1972, т. 18, в. 1, с. 1.

Ш. М. Коган.